Loading...
«Влияние сверхбыстрого нагрева решетки после инфракрасного фотовозбуждения до сих пор широко исследовалось. Однако это первый раз, когда роль решеточных и электронных переходов в сверхбыстрой магнитной анизотропии четко разграничена на фемтосекундных временных масштабах», — говорят авторы.
Одна из важнейших задач современных информационных технологий — управление направлением намагниченности, которое меняет магнитные свойства кристалла (магнитная анизотропия). Современные жесткие диски и магнитные накопители большого объема требуют переключения направления намагниченности в течение наносекунд. Растущие потребности в увеличении скорости записи подтолкнули ученых к исследованиям оптических технологий с использованием фемтосекундных лазерных импульсов. Когда короткие и интенсивные лазерные импульсы ближнего инфракрасного диапазона поглощаются магнитами, происходит обмен энергией, который приводит к изменению магнитной анизотропии. Понимание этого процесса имеет решающее значение для реализации сверхбыстрой магнитной записи.
Международная команда ученых показала, что фотовозбуждение электронных и решеточных переходов в фемтосекундных временных масштабах приводят к совершенно разным изменениям магнитной анизотропии в ферромагнетике — редкоземельном ортоферрите (Sm0.7Er0.3FeO3). Этот материал демонстрирует изменения анизотропии при нагревании, происходящей из-за решеточных переходов. Теперь ученые показали, что воздействие инфракрасного лазерного излучения позволяет изменить магнитную анизотропию только за счет электронных переходов в течение десятков фемтосекунд. Это значительно быстрее, чем при нагревании.
Поскольку соединения переходных металлов, содержащие редкоземельные элементы, ― одни из наиболее используемых магнитов в современном мире, результаты работы могут быть актуальны для создания новых методов сверхбыстрой магнитной записи.
Подписывайтесь на InScience.News в социальных сетях: ВКонтакте, Telegram, Одноклассники.